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    • 方案介紹

      碳化硅中陰陽離子的測定

      碳化硅(SiC)又名金剛砂,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。目前中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體。碳化硅有化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好等特點,高純度碳化硅可制造半導(dǎo)體和碳化硅纖維。碳化硅中的雜質(zhì)陰陽離子會對其性能產(chǎn)生影響,需要進(jìn)行檢測以提高純化技術(shù)。

      色譜條件

      (1)常規(guī)陰離子

      分析柱:SH-G-1+SH-AC-11

      流動相:10 mM KOH(EG)

      流速:1.0 mL/min

      柱溫:45℃

      抑制器:SHY-A-6

      進(jìn)樣體積:25 μL

      前處理:樣品稀釋適當(dāng)倍數(shù)過 0.22 μm 一次性針頭過濾器和銀-鈉柱進(jìn)樣分析。

      1.png

      碳化硅提取液中陰離子譜圖

      (2)陽離子

      分析柱:SH-G-1+SH-CC-3L

      流動相:5.5 mM 甲烷磺酸

      流速:1.0 mL/min

      柱溫:35℃

      抑制器:SHY-C-3

      進(jìn)樣體積:25 μL

      前處理:樣品稀釋適當(dāng)倍數(shù)過 0.22 μm 一次性針頭過濾器進(jìn)樣分析。

      2.png

      碳化硅提取液中陽離子譜圖

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